Gaál Zoltán Tamás

Gaál, Z. T., Halász, Z., Csik, A., Takáts, V., Nagy, G., Oscarsson, J., Sortica, M., Primetzhofer, D., Fodor, T., Molnár, S., Hakl, J., Benkó, Z., Daróczi, L., Benke, M., Vad, K., Rajta, I.: Boron depth distribution in iron surfaces at high-dose implantation.
Vacuum. 238, 1-6, (article identifier: 114310), 2025.

Takáts, V., Fodor, T., Gaál, Z. T., Halász, Z., Hakl, J., Molnár, S., Csik, A., Nagy, G., Sortica, M., Oscarsson, J., Primetzhofer, D., Benke, M., Rajta, I., Vad, K.: Chemical state depth distribution of boron in high-dose implanted iron surface.
Surf. Coat. Technol. 509, 1-6, (article identifier: 132162), 2025.

Szívós, J., Balogh, L., Rajta, I., Nagy, G., Gaál, Z. T., Samu, V., Takefumi, K., Zolnai, Z.: Monitoring of Dose Dependent Damage in MeV Energy Hydrogen Implanted Silicon by Photo-Modulated Reflectance Measurements.
IEEE J. Electron Devices Soc. 10, 761-768, 2022.